T/R组件和射频模块业务营收减少 国博电子Q3净利同比降超五成

《科创板日报》10月30日讯（记者 邱思雨） 10月29日晚间，国博电子发布三季度业绩公告。

该公司2024年前三季度营收约18.14亿元，同比减少35.83%；归母净利润约3.06亿元，同比减少31.93%。

单看第三季度，该公司实现营收5.11亿元，同比减少43.51%；归母净利润6185.33万元，同比减少56.28%。

对于营收、净利润下滑，国博电子解释主要系T/R组件和射频模块业务收入减少所致。

国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，产品主要包括有源相控阵T/R组件、砷化镓基站射频集成电路等，覆盖军用与民用领域。有源相控阵T/R组件主要应用于精确制导、雷达探测领域，砷化镓基站射频集成电路主要应用于移动通信基站领域,并逐步拓展到移动通信终端和无线局域网领域。

T/R组件是低轨卫星载荷平台的核心之一，在卫星载荷中价值占比较高。国博电子表示，组件方面，该公司在低轨卫星和商业航天领域均开展了技术研发和产品开发工作，多款T/R组件产品已开始交付客户。

基站领域，5G投资高峰过后，基站投资放缓，受此影响基站设备制造商对射频集成电路和GaN射频模块的需求也呈现下降趋势。不过近年来，5G网络商业化部署不断推进，以及5.5G通感一体基站的商用落地，射频器件需求或将随之大幅增加。

据悉，该公司GaN射频模块已发布多款新产品，新技术正致力于改善产品的线性度、效率等性能。另外，多款射频集成电路已应用于5.5G通感一体基站。

手机终端领域，该公司开关、天线调谐器产品量产，多个射频开关被客户引入并批量交付，DiFEM相关芯片量产交付。另外，其开发完成手机PA、LNA等射频放大类芯片产品，同时正进行基于新型半导体工艺的新产品研发。

国博电子还透露，射频芯片和组件产业化项目预计在2025年3月达到可使用状态。